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CsI(Tl)闪烁晶体

  • 最大尺寸可达 400mm x 400mm x 100 mm
  • 我们可以提供多种特殊形状和设计的 CsI(Tl),例如中心带孔的 CsI(Tl)/形状良好的 CsI(Tl),以及单窗口或多窗口的 CsI(Tl) 闪烁体。
  • 超高光输出,平均 52 光子 keV
  • 良好的 γ 射线阻止能力和抗辐射性能
  • 发射峰值位于 550nm,与光电二极管匹配良好
  • 坚固的物理特性
  • 可提供低余辉 CsI(Tl)。除了 CsI(Tl) 块体晶体外,我们还提供 CsI(Tl) 闪烁屏和 CsI(Tl) 闪烁体阵列。
联系我们  

基本性质:

密度(g/cm3)4.51熔点(°C)621
解理面硬度(莫氏)2
吸湿性略有发射峰折射率1.79
发射峰波长(nm)550下波长截止(nm)320
衰减时间 (μs)1光产额 (光子/Mev/γ)52~56x10^3
热膨胀系数 (K^-1)54x10^-6光电子产额 (NaI(Tl) 的百分比) (γ 射线)45
余辉 (20ms 后) (%)<0.5 (对于正常的 CsI(Tl))


发射光谱CsI、CsI(Na)、CsI(Tl):

Emission Spectrum of CsI, CsI(Na), CsI(Tl)          Afterglow of CsI(TI) crystal

CsI(Tl),即掺铊碘化铯,是最常用的碱卤化物闪烁晶体之一,具有高光输出、高密度带来的优异γ射线阻止本领以及与光电二极管或硅光电倍增管 (SiPM) 的兼容性等优势。CsI(Tl) 闪烁晶体广泛应用于医学成像、测井、高能物理、辐射探测等应用。

CsI(Tl) 具有极高的亮度,是最亮的闪烁材料之一,其发射光输出为 54 keV 光子,相当于 Na(I) 的 45%。

CsI(Tl) 的发射光谱范围很广,介于 350nm 至 700nm 之间,大部分发射波长超过 500nm,发射峰值位于 550nm 波长处,与光电二极管的读数非常匹配。因此,CsI(Tl) 的集成有利于闪烁探测器的简化和小型化,并可消除对高压电源的需求。基于光电二极管的闪烁体还可以避免磁场问题,而磁场问题可能会影响传统的光电倍增管 (PMT)。

此外,由于 CsI(Tl) 具有较大的原子序数,其光分数比 Na(I) 更高,并具有较大的光吸收截面,使其能够高效探测伽马射线或 X 射线。

CsI(Tl) 是一种较慢的闪烁体材料,与伽马射线相互作用时的平均衰减时间为 1 μs。对于 CsI(Tl),建议使用整形时间在 4-6 µs 范围内的合适电子器件。对于 CsI(Tl),较慢的衰减时间限制了其在高速闪烁体系统中的潜力,因此 CsI(Tl) 通常用于能量分辨率比高速探测更为重要的应用。 CsI(Tl)的衰减时间由多个部分组成,其中最快部分约为0.6μs,最慢部分约为3.5μs。由于CsI(Tl)晶体在被电离粒子和重带电粒子激发时,快慢分量的比例会根据电离功率而变化,因此CsI(Tl)可用于α粒子的脉冲形状识别,从而探测重离子。

CsI(Tl)晶体的其他优点包括良好的抗辐射性能,使其在长时间暴露于高剂量辐射后仍具有很强的抗损伤能力,使其成为进行高能实验的可靠选择。此外,CsI(Tl)还具有坚固耐用且优异的物理特性(吸湿性较低),使其在各种条件下都具有可靠性和多功能性。 CsI(Tl) 可用于医疗应用,例如颌骨和头部扫描、安全 X 射线检查、测井、空间研究等。

杭州煦和光电技术有限公司 (Shalom EO) 提供一系列基于 CsI(Tl) 的闪烁体产品,包括 CsI(Tl) 毛坯、抛光晶体、封装闪烁体、CsI(Tl) 阵列、CsI(Tl) 阵列 + PD 组件以及定制规格的二维闪烁体。沙洛姆光电技术有限公司采用环保的布里奇曼生长技术,能够生产各种 CsI 晶体,包括未掺杂的 CsI 晶体、CsI(Tl)/铊掺杂的 CsI、CsI(Na)/钠掺杂的 CsI、低余辉 CsI(Tl) 及相关产品。凭借领先的制造技术,我们能够制造最大尺寸为 400mm x 400mm x 100mm 的 CsI(Tl)。Shalom EO 可自主选择闪烁晶体的尺寸、形状、成分、反射器、封装、耦合探测器或集成电子设备。我们有信心提供定制形状的 CsI(Tl) 闪烁体,以满足不同的需求,包括形状良好的 CsI(Tl) 闪烁体、具有单个或多个窗口的 CsI(Tl) 闪烁体,以及各种反射器组合。这些定制形状和设计旨在满足独特的应用需求。

本页面专门介绍我们的 CsI(Tl) 晶体,该晶体具有高光输出、出色的伽马辐射阻止能力和辐射硬度。与光电二极管读出的良好匹配使我们的CsI(Tl)晶体在核辐射探测、高能物理、安全X射线扫描仪、工业检测以及计算机断层扫描(CT)医疗设备等各个领域都能达到最佳效果。本页面介绍了我们的标准CsI(Tl)晶体材料,同时我们也提供低余辉CsI(Tl)闪烁体晶体。您可以点击粗体文本了解更多信息。

应用说明:

您可以转到“资源”选项卡查看CsI、CsI(Na)和CsI(Tl)属性比较表。

CsI、CsI(Tl)、CsI(Na) 性能对比表:

参数CsI(Tl)CsI(Na)CsI(未掺杂)
密度4.514.514.51
熔点 (°C)621621621
热膨胀系数(K^-1)54x10^-649x10^-649x10^-6
解理面
硬度(莫氏)222
吸湿性略有略有
发射峰值波长(nm)550420315
较低截止波长 (nm)320300260
发射最大值时的折射率1.791.841.95
衰减时间 (μs)10.630.016
余辉 (20ms 后) (%)<0.5 (正常)0.5~5.0/
光输出(光子/兆电子伏/γ)52~56x10^338~44x10^32x10^3
光电子产额(NaI(Tl) 的百分比)(γ射线)45854~6
CsI(Tl)闪烁体阵列

CsI(Tl)闪烁体阵列

  • 高光输出、强大的阻止能力和机械强度
  • 峰值发射波长为 550nm,与硅光电二极管读出器完美匹配
  • 线性阵列或一维阵列,像素数:1x8、1x16、1x32、1x64、1x128……
  • 二维阵列,像素数:6×10、12×18、24×36……
  • 最小像素或晶体元件尺寸:0.3mmx0.3mm
  • 提供低余辉版本(余辉 0.05~0.39%@2ms),也可定制余辉值
  • CsI(Tl) 闪烁晶体Shalom 也有售EO
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定制闪烁屏

定制闪烁屏

  • 适用于高空间分辨率应用
  • 独立屏幕最小 0.05 毫米
  • 熔融石英 (FS) 基底屏幕最小 0.01 毫米
  • 可提供铝涂层
  • 闪烁材料包括 YAG(Ce)、GAGG(Ce)、LuAG(Ce)、LYSO(Ce)、YAP(Ce) 和 CsI(Tl)
  • 应用:检测质子束、电子束、软 X 射线、紫外光、真空紫外光和极紫外光辐射
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CsI(Tl)闪烁晶体(低余辉)

CsI(Tl)闪烁晶体(低余辉)

  • 高光输出
  • 坚固耐用,耐机械冲击
  • 低余辉版本(0.05~0.39% @20ms,该值可根据要求定制)
  • 应用:核辐射探测、安全和工业检查、医学CT等
  • 可提供CsI(Tl)块体晶体、CsI(Tl)闪烁屏和CsI(Tl)闪烁体阵列
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CsI闪烁晶体

CsI闪烁晶体

  • 衰减时间快:16ns
  • 发射峰值位于 315nm
  • 光输出低于 CsI(Tl) 和 CsI(Na)
  • 采用布里奇曼法生长,最大尺寸为直径 90mm x 长度 300mm 及以上
  • 高阻止本领
  • CsI 一维线阵列、CsI 二维平面阵列、CsI(Tl) 和 CsI(Na) 也可供选择
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